CYD18S18V18-200BBAXC
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | CYD18S18V18-200BBAXC |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 256-FBGA (17x17) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 256-LBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 18Mbit |
Speicherorganisation | 1M x 18 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Uhrfrequenz | 200 MHz |
Grundproduktnummer | CYD18S18 |
Zugriffszeit | 3.3 ns |
CYD18S18V18-200BBAXC Einzelheiten PDF [English] | CYD18S18V18-200BBAXC PDF - EN.pdf |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484FBGA
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
IC SRAM 18MBIT PAR 484FBGA
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
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IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
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IC SRAM 18MBIT PAR 484FBGA
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IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484FBGA
Dual-Port SRAM, 128KX72, 11ns, C
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CYD18S18V18-200BBAXCInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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